Інтел у співпраці з SoftBank планує запустити заміну пам’яті HBM вже до 2029 року

SoftBank і Intel планують ввести на ринок нову пам’ять Z‑Angle Memory (ZAM) до 2029 року

Чому це реалізується
Відповідальні компанії: SoftBank – через дочірню фірму Saimemory, яка буде займатися розробкою та продажами. Intel надасть технології виробництва і упаковки. Участь інших гравців: Fujitsu з Японії бере участь у проекті.

Чому потрібна Z‑Angle Memory
* Проблеми існуючої HBM:
- Дуже дорогий і енергозатратний.
- При збільшенні обсягів виробництва HBM класичний DRAM страждає від нестачі ресурсів.
* Мета Z‑AM – запропонувати більш економічну, енергоефективну альтернативу, зберігаючи при цьому високу щільність даних.

Технічні особливості
| Параметр | Опис |
|----------|------|
| Структура | Стеки з кількох рівнів мікросхем (подібно до HBM), але з більш просунутими методами упаковки та архітектурою. |
| Щільність | Удельна ємність стеку в 2‑3 рази вище, ніж у HBM. |
| Енергоспоживання | Зменшено приблизно вдвічі порівняно з HBM. |
| Вартість виробництва | Очікується або збереження поточного рівня цін, або зниження до 40 %. |

Технологія упаковки
* Intel пропонує технологію NGDB (Next‑Generation Die Bonding), яка підвищує енергетичну ефективність пам’яті ZAM порівняно з HBM.
* У прототипах вже реалізовано вісім рівнів DRAM поверх базового кристалу.

План запуску
1. Проміжні прототипи – демонстрація до кінця березня 2028 року.
2. Масове виробництво – початок протягом наступних 12 місяців після презентації, тобто приблизно до середини 2029 року.

Таким чином, SoftBank і Intel мають намір швидко масштабувати випуск Z‑Angle Memory, забезпечуючи більш доступний та енергоефективний варіант пам’яті для майбутніх високопродуктивних систем.