Кіоксія знайшла спосіб обійти конкурентів, обходячи збільшення шарів NAND

Кіпрська пам’ять 3D‑NAND: як Kioxia намагається догнати лідерів

*Технологія багатошарового зберігання, вперше запропонована Toshiba у 2007 р., досі не дає японському виробнику конкурентної переваги. Щоб компенсувати відставання в кількості шарів, компанія розробляє власну технологію з’єднання кремнієвих пластин – CBA (Chip‑Bonded Array).*

Що таке CBA і навіщо вона потрібна
- Традиційний підхід

У класичних NAND‑чіпах керуюча логіка розміщувалася на тій же підложці, що й ячейки пам’яті. Це обмежувало щільність: чим більше шарів, тим вища вартість і складність виробництва.

- Нова ідея Kioxia

За допомогою CBA керуюча пластина відокремлюється від пластини з ячейками та потім підключається до неї на рівні мікроскопічних контактів. Це дозволяє «приклеивати» кілька шарів пам’яті до однієї керованої плати, не збільшуючи кількість шарів на окремій підложці.

- Переваги

- Збільшення ємності без росту кількості шарів.
- Можливість більш гнучкої архітектури чіпа.
- Зниження витрат на виробництво високих щільностей.

Поточні цифри ринку
| Параметр | Kioxia (3D‑NAND) | Конкуренти |
|----------|-------------------|------------|
| Кількість шарів | ~218 | >300, прагнуть до 400 |
| Швидкість читання/запису | +20–30 % порівняно з аналогами | – |

Kioxia вже застосовує CBA у своїх «флагманських» продуктах. Проте компанія залишається на третьому місці у сегменті твердотільної пам’яті, уступаючи південнокорейським гігантам (Samsung, SK Hynix). Позиції Kioxia в прибутковому та швидко зростаючому серверному ринку досі слабкі.

Що це означає для майбутнього
- Потенціал росту

Якщо технологія CBA дійсно дозволить досягти більшої щільності без суттєвого удорожання, Kioxia може змінити баланс сил на ринку NAND‑пам’яті.

- Ключовий фактор – точність з’єднання

Для масового виробництва критично важлива висока точність позиціонування пластин. За словами аналітиків, саме в цьому напрямку Kioxia опереджає конкурентів.

Висновок
Kioxia продовжує боротися із відставанням у кількості шарів, впроваджуючи інноваційну технологію CBA, яка обіцяє збільшити ємність і швидкість роботи NAND‑чіпів. Поки результати не повністю перевернули ринок, нові рішення можуть стати вирішальним фактором у боротьбі за лідерство у сегменті твердотільної пам’яті.