Сamsung розпочне масові постачання пам’яті HBM4 у лютому, випереджаючи конкурентів

Samsung Electronics вперше поставить чіпи HBM4 у комерційне виробництво

Коли: Кому: Перша комерційна постача пам’яті HBM4
Середина лютого Nvidia (платформа Vera Rubin)
* Постачальник – Samsung Electronics, перший виробник, який розпочне відвантаження чіпів HBM4.

* Замовник – Nvidia. Пам'ять буде використана у обчислювальній платформі наступного покоління Vera Rubin, призначеній для ІІ‑суперкомп’ютерів.

* Публічне представлення – прискорювачі на базі HBM4 планується показати на конференції GTC 2026 (березень).

Технічні характеристики
Параметр Значення
Швидкість передачі до 11,7 Гбіт/с (на 37 % вище стандарту JEDEC 8 Гбіт/с)
Пропускна здатність одного стеку 3 Тбайт/с
Ємність при 12‑шаровій компоновції 36 ГБ
Можлива ємність при 16‑шаровій компоновції до 48 ГБ
*Чіп розроблявся з урахуванням перевищення галузевих стандартів JEDEC. В якості технологічного процесу використано DRAM‑процес шостого покоління (10 нм, 1c) і власний логічний кристал шириною 4 нанометри.*

Виробництво
* Місце виробництва – завод Pyeongtaek Campus Line 4.

* Після модернізації випуск пластин HBM4 складе близько 200 000 одиниць/міс., що охоплює приблизно 25 % всіх DRAM‑виробничих потужностей Samsung.

Ринкова перспектива
Компанія Оцінка частки ринку HBM4
SK hynix ~70 %
Samsung ~30 %
Micron майже немає позиції
За даними аналітики SemiAnalysis, ринок HBM4 буде розділений переважно між SK hynix і Samsung; Micron відстає.

Стратегічний сенс
У попередніх поколіннях HBM Samsung уступав конкуренту SK hynix. З випуском HBM4 розрив може не лише зменшитися, а й перевершити конкурента, враховуючи зростаючий попит зі сторони дата‑центрів на ІІ‑обробку.