Семсунг і SK Hynix інвестували майже мільярд доларів у збільшення виробництва пам’яті в Китаї минулого року

Семсунг і SK Hynix інвестували майже мільярд доларів у збільшення виробництва пам’яті в Китаї минулого року

22 hardware

Як южнокорейські гіганти пам’яті зберігають доступ до американського обладнання та розвивають виробництво в Китаї

Під час президентства Джо Байдена влада США намагалася обмежити можливість корейських виробників розширювати свої заводи в Китаї. Ці фабрики є ключовими для постачання мікросхем пам’яті на світовий ринок. Проте Samsung і SK Hynix змогли зберегти доступ до американського обладнання, одночасно інвестуючи у модернізацію своїх китайських підприємств.

1. Samsung Electronics
Показник | Дані | Інвестиції в Сянь (2023) | $344 млн | Рост по сравнению с 2022 г.+67,5 % | Роль завода | Єдина закордонна площадка Samsung для NAND‑пам’яті; забезпечує до 40 % світового об’єму продукції
Історія інвестицій: після вкладення $464 млн у 2019 році компанія не здійснювала великі фінансування чотири роки. У 2024 році було виділено $184 млн, а в минулому році сума була збільшена майже вдвічі.
Таким чином, Сянь став стратегічним центром для Samsung, особливо з урахуванням росту попиту на пам’ять у епоху штучного інтелекту.

2. SK Hynix
Показник | Дані | Загальні інвестиції в Китаї (2023) | понад $663 млн | Заводи – DRAM‑завод у Усі; 3D‑NAND‑фабрика у Далянь, куплена від Intel у 2022 р. Інвестиції у Усі (2023) удвічі збільшені до $190 млн | Інвестиції у Далайн (2023) | $293 млн (полтора рази більше за 2024‑й рік) | Економічний ваговий ≈1 трильйон южнокорейських вон – значна сума для компанії
SK Hynix активно розширює виробництво DRAM і 3D‑NAND, щоб задовольнити зростаючий попит на пам’ять від ІІ та хмарних сервісів.

3. Технологічні плани
Компанія | Планований продукт | Де буде вироблятися
Samsung | 236‑шаровий 3D‑NAND (перехід з 128‑шарового) | Китай – Samsung
400‑шаровий 3D‑NAND | Південна Корея
SK Hynix | Переведення DRAM‑заводу у Усі на четверте покоління 10‑нм (1a) | Усі, Китай

- Samsung планує запустити більш просунутий 236‑шаровий NAND в Китаї, що дозволить залишатися конкурентоспроможним незважаючи на обмеження технологічного розвитку країни.
- SK Hynix планує оновити техпроцес DRAM‑заводу у Усі до 10‑нм (1a), що забезпечить ефективне виробництво DDR5. Завод вже відповідає більш ніж за 30 % світового об’єму DRAM компанії.

Висновок
Незважаючи на зусилля США обмежити доступ южнокорейських виробників до американського обладнання, Samsung і SK Hynix продовжують інвестувати сотні мільйонів доларів у Китай. Це дозволяє їм зберігати конкурентоспроможність, розширювати виробництво NAND‑пам’яті та DRAM і готуватися до майбутнього росту попиту, особливо в сфері штучного інтелекту.

Коментарі (0)

Поділіться своєю думкою — будь ласка, будьте ввічливі та по темі.

Поки немає коментарів. Залиште коментар — поділіться своєю думкою!

Щоб залишити коментар, увійдіть в акаунт.

Увійдіть, щоб коментувати