Семсунг презентувала на Computex 2026 прототип пам’яті HBM5 Stack

Samsung Electronics — перші кроки до HBM5

Нещодавно Samsung Electronics оголосила про початок поставок зразків пам’яті HBM4E, але одночасно вже активно розробляє наступну генерацію – HBM5. На виставці Computex 2025 компанія показала лише великий макет чипу HBM5, щоб надати загальне уявлення про його структуру. Вже зараз видно, що технологія буде складною й вимогливою.

Ключові деталі розробки
Параметр | Що робить Samsung | Базовий кристал | Самостійне виробництво на 2‑нм техпроцесі | Кількість шарів DRAM | Транзистори GAA | Планується використовувати в 2‑нм чипах | Техпроцес нижче 1 нм
---|---|---|---|---|---|---|---
Базовий кристал | Самостійне виробництво | 2 нм | 12–20 штук (технологія класу 1c) | GAA | Планується використовувати в 2‑нм чипах | Техпроцес нижче 1 нм

Технічний директор підрозділу Samsung Electronics Сон Чжэ Хёк (Song Jaehyuk) підтвердив участь компанії у розробці та впровадженні цих технологій. Наявність контрактного підрозділу дозволяє задовольняти вимоги найстриманіших клієнтів, включаючи Nvidia.

Порівняння з HBM4E
* HBM4E використовує 4‑нм базовий кристал і техпроцес 1c для виготовлення DRAM‑чипів, що формують стек пам’яті.

* HBM5 запропонує:

* Більш тонкий кристал (2 нм) та більш гнучку кількість шарів (12–20).
* Heat Path Block (HPB) – теплоотводний канал для ефективного охолодження.
* Збільшену швидкість обміну даними завдяки покращеній архітектурі.

Технологія HPB вже відлажена на прикладі HBM4E, і Samsung планує використовувати просунуті методи отводу тепла для підвищення стабільності пам’яті. Масове виробництво HBM5 заплановано з 2028 року, а в рамках HBM5E кристали DRAM будуть виготовлятися за більш просунутою технологією 1d.

Що роблять конкуренти
* SK hynix використовує схожу технологію охолодження – iHBM. Це означає, що рішення Samsung не є унікальним з точки зору теплоотводу.

* SK hynix також впроваджує 2‑нм чипи в складі HBM5 і планує масове виробництво з використанням iHBM.

Висновок
Samsung Electronics вже розробляє HBM5 на базі 2‑нм техпроцесу, передбачаючи до 20 шарів DRAM та інноваційний теплоотвод HPB. Масовий випуск запланований на 2028 р., а конкуренти, такі як SK hynix, застосовують аналогічні рішення (iHBM). У цілому Samsung демонструє впевненість у освоєнні технологій нижче 1 нм і готовність задовольняти вимоги найбільших клієнтів.