Семсунг припиняє виробництво 2‑D NAND і переадресовує фабрики на виготовлення HBM4

Семсунг припиняє виробництво 2‑D NAND‑флешей і переорієнтує заводи на HBM4

У цьому році Samsung оголосила про повне відмовлення від виробництва флеш-пам’яті 2‑D NAND. Залишені лінії будуть перенаправлені у напрямку виготовлення пам’яті HBM4, яка зараз користується величезним попитом через стрімкий ріст ІІ.

Що відбувається на заводі Хвасон
За даними *The Elec Korea* Samsung планує закрити виробництво 2‑D NAND на своєму об’єкті в Хвасоне. Замість повного зняття лінії з експлуатації підприємство переобладнує її для металізації DRAM – процесу нанесення доріжок, що зв’язують ячейки пам’яті всередині чипа.

- Потужність лінії 12: від 80 000 до 100 000 12‑дюймових пластин на місяць.

- Ці пластини раніше використовувалися виключно для 2‑D NAND‑флешей, але технологія вже застаріла після появи 3‑D NAND.

Тепер на цій лінії буде вироблятись DRAM 6-го покоління (10 нм), використаний у HBM4. Samsung прогнозує, що загальна місячна ємність виробництва DRAM – включно з лініями 3 і 4 в Пхёнтеке – досягне приблизно 200 000 пластин до кінця другого півріччя.

Чому 2‑D NAND йде
Пам’ять 2‑D NAND вперше з’явилася наприкінці 1990-х. За останні роки виробники поступово відмовлялися від неї, переходячи на більш просунуту 3‑D NAND. Технологія 3‑D NAND має значні переваги: більшу ємність, кращу надійність і суттєво вищі показники швидкості.

Згідно з планом Samsung, остаточне припинення виробництва 2‑D NAND заплановано на березень. Після цього завод повністю перейде до випуску більш сучасних рішень – у тому числі HBM4, які потрібні в високопродуктивних обчислювальних системах і ІІ‑приложеннях.