СК Хайнікс і СанДиск розпочали стандартизацію High‑Bandwidth Flash, проміжної пам’яті між HBM та SSD

SK Hynix і SanDisk оголосили про запуск нового рівня пам’яті – High Bandwidth Flash (HBF) – в рамках проекту Open Compute Project

Що таке HBF
* Позиціонування:

HBF – «середній» рівень між надшвидкою пам’яттю HBM і об’ємною SSD.

Він заповнює прогалину між високою пропускною здатністю HBM та великою ємністю SSD, забезпечуючи як розширення об’єму, так і енергоефективність, необхідну для задач ШІ.

* Функція в архітектурі:

На відміну від HBM, який забезпечує основну високу швидкість, HBF виступає допоміжним шаром пам’яті, доповнюючи загальну систему.

Як SanDisk бачить HBF
ХарактеристикаПоказання SanDiskТехнологіяNAND‑пам’ять, що використовує BiCS NAND і технологію CBA (CMOS Direct Bonded to Array).Ємність8–16 раз більша за HBM при аналогічній пропускній здатності.СтоховістьПриблизно порівнянна з HBM у типових системних конфігураціях.
Перший‑покоління стек
* Пропускна здатність читання: до 1,6 ТБ/с (256 Гбит/с на кристал).

* Загальна ємність стека (16 кристалів): до 512 ГБ.

* Фізичні параметри: стек розроблений так, щоб максимально підходити за розмірами, енергоспоживанням і висотою HBM4 – модель інтеграції аналогічна сучасним стекам HBM на прискорювачах ШІ.

Продуктивність
Внутрішні тести показали, що HBF відрізняється всього 2,2 % від «HBM з необмеженою ємністю» при навантаженні, базованому на 8‑бітній конфігурації Llama 3.1 405B.

*Важливо:* порівняння використовує гіпотетичний HBM без обмеження об’єму, тому не вимірює прямо вигоду від більшої ємності.

Енергонезалежність
HBF зберігає дані без живлення – на відміну від DRAM‑пам’яті, яка потребує постійного енергопитання для оновлення даних.

Плани на майбутнє (Gen 2 і Gen 3)
ПоколінняЦільова пропускна здатність читанняЄмність стекаЕнергоспоживання (від Gen 1)Gen 2> 2 ТБ/сдо 1 ТБ0,8× від Gen 1Gen 3> 3,2 ТБ/сдо 1,5 ТБ0,64× від Gen 1

Що далі
* Стандартизація: SK Hynix і SanDisk вже позначили HBF як наступний крок у рамках Open Compute Project.

* Впровадження: поки точний графік не оголошено.

Таким чином, HBF обіцяє стати новим «середнім» шаром пам’яті, об’єднуючи швидкість HBM з об’ємністю SSD, при цьому залишаючись енергоефективним і сумісним із існуючими прискорювачами ШІ.